星期六, 27 12 月

三星新 HBM 上膛 股价攻顶

南韩媒体报导,三星电子明年2月将开始量产下一代高频宽记忆体(HBM4),加上投资银行野村调高目标价,激励三星电子股价收盘创新高。

三星电子26日收盘报每股117,000韩元,比前市大涨5.3%。竞争对手SK海力士股价涨1.9%,以599,000韩元作收,盘中一度跃上60万韩元。半导体股普遍劲扬,呼应25日美股三大指数同创新高的「耶诞老人行情」。

市场普遍预期,记忆体大厂2026年将迎来一波「超级周期」,让投资人对半导体产业展望信心大振,触动南韩这波半导体股涨势。

投资银行野村于是调高三星电子获利预测,明年营业利益估计可达133.4兆韩元,反映记忆体晶片价格看涨。野村同时上调三星电子目标股价,从150,000韩元调高至160,000韩元,并维持「买进」评等。

南韩券商预期,晶片股还会进一步上涨。KB证券研究报告写道:「三星电子2026年营业利益年增幅将接近129%,奔向100兆韩元,由DRAM价格上涨和高频宽记忆体出货量扩增驱动。」KB证券预期,三星电子2026年HBM市占率可望比今年增加一倍多,从16%提高到35%。

首尔经济日报引述匿名业内消息来源指出,三星电子明年2月将在南韩平泽(Pyeongtaek)园区开始量产HBM4,竞争对手SK海力士的M16厂也将在同月启动量产。报导指出,HBM4将用于辉达(Nvidia)次世代AI晶片「Rubin」。SK海力士已在今年3月交给辉达HBM4样本,并于9月建立起一套量产系统。 $(document).ready(function () {nstockStoryStockInfo();});

发表回复

您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注